فرمت فایل: ppt
تعداد اسلاید: 49 اسلاید
قابلیت ویرایش: دارد
تصویری از خود فایل رو میتونید مشاهده کنید.
قسمتی از متن این پاورپوینت که به صورت تصادفی انتخاب شده:
فصل پنجم از:
& کتابMICROELECTRONIC CIRCUITS 5/e
Sedra/Smith
lBJT در سال 1948 اختراع شده و با معرفی دستگاه هائی که با ترانزیستور نیمه هادی کار میکردند انقلابی در دنیا پدید آورد. ترانزیستورBJT برای سالهای متمادی انتخاب اول برای انواع دستگاههای دیجیتال و آنالوگ بود اما در دهه اخیر بسرعت با MOSFET جایگزین گشته است.
lساختار ترانزیستور BJT
یک ترانزیستور BJT از نوع npn از سه قطعه نیمه هادی متصل به هم تشکیل میشود:
یک نیمه هادی n با نام امیتر
یک نیمه هادی p با نام بیس
یک نیمه هادی n با نام کلکتور
طرز کار ترانزیستور npn درناحیه فعال
در ناحیه فعال پیوند بیس- امیتر با اعمال ولتاژ خارجی درگرایش مستقیم بایاس شده و پیوند بیس-کلکتور در گرایش معکوس بایاس میشود.
ساختار وتحلیل ترانزیستور BJT
lجریان کلکتور
lبعلت اینکه ولتاژ کلکتور مثبت است الکترونهائی که به مرز بیس و کلکتور میرسند توسط این ولتاژ جذب شده و از ناحیه تخلیه کلکتور-بیس عبور کرده و به ناحیه کلکتور میرسند.
lاشباع ترانزیستور
وقتی که هر دو پیوند ترانزیستور در حالت هدایت باشند، ترانزیستور وارد ناحیه اشباع خود میگردد.
lترانزیستور BJT بعنوان تقویت کننده
lایده اصلی استفاده از ترانزیستور بعنوان تقویت کننده بر این پایه است که درناحیه فعال تغییرات ولتاژ VBE باعث تغییر در مقدار جریان کلکتور Ic میشود.
lمنحنی مشخصه تقویت کننده امیتر مشترک
lبا افزایش ورودی ترانزیستور هدایت کرده و در ناحیه فعال شروع به کار میکند. در این حالت جریان کلکتور از رابطه زیر بدست می آید.
lتحلیل گرافیکی
lرابطه جریان ic و vce را میتوان بصورت یک خط راست نوشت:
lنقطه کار از تلاقی این خط با مشخصه بدست می آید.
lشباهتهای BJT و CMOS
lاین دو ترانزیستور از جهات مختلفی به هم شبیه هستند. جدول زیر یک مقایسه مفهومی بین آنها بعمل آورده تا به فهم ساده تر مسائل مربوطه کمک کند.
lمثال 5
در شکل زیر ولتاژ کلکتور ترانزیستور ها را بدست آورید.
lپاسخ:
lفرض میکنیم هر دو ترانزیستور در ناحیه
فعال باشند:
رابطه زیر را برای جریان داریم:
از طرفی معلومات مسئله:
که با استفاده از آن خواهیم داشت:
ساختار وتحلیل ترانزیستور BJT
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.